ساخت کوچک‌ترین ترانزیستور جهان توسط دانشمند ایرانی در آمریکا

به گزارش گروه علم و فناوری آنا به نقل از ایسنا، اندازه ترانزیستورها از اهمیت بسیار زیادی در ارتقای فناوری رایانه برخوردار است. ترانزیستورهای سیلیکونی کوچک‌تر دارای قدرت محاسباتی بیش‌تری هستند و پردازشگرها را سریع‌تر و کارآمدتر می‌سازند اما سیلیکون از محدودیت‌های خاص خود برخوردار است.

ترانزیستورها دارای سه پایانه موسوم به تخلیه، منبع و درگاه هستند. جریان از منبع به پایانه تخلیه جریان می‌یابد؛ سپس توسط درگاه مورد کنترل قرار می‌گیرد که بسته به ولتاژ اعمال شده، خاموش و روشن می‌شود.

از آنجایی که سیلیکون چنین جریان آزادی از الکترون را ممکن می‌سازد، ذرات با کوچک شدن درگاه، از میان آن عبور می‌کنند. زمانی که این مساله اتفاق می‌افتد، ترانزیستور دچار نشت انرژی می‌شود.

اکنون پروفسور علی جاوه‌ای یک جایزگزین برای ترانزیستورها تولید کرده است که منجر به ساخت کوچک‌ترین ترانزیستور جهان با درگاهی به قطر یک نانومتر شده است. برای مقایسه، یک رشته موی انسان حدود 50 هزار نانومتر است.

جاوه‌ای و همکارانش توانستند این کار را با استفاده از نانولوله‌های کربنی و دی‌سولفید مولیبدن(MoS2) انجام دهند که یک روان‌کننده موتور ماشین است. این ماده جزء خانواده‌ای از مواد با قابلیت کاربری در لیزرها، سلول‌های خورشیدی، ال‌ای‌دی‌ها و ترانزیستورهای با ابعاد نانو است.

ماده MoS2 مانند سیلیکون دارای ساختار شبکه‌ای بلوری است اما الکترون‌ها به سادگی سیلیکون در آن حرکت نمی‌کنند و کنترل‌شده‌تر هستند.